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IRLML2803TRPBF
器件3D模型
0.385
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IRLML2803TRPBF数据手册
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3 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback April 24, 2014
IRLML2803PbF
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
0.1 1 10
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
J
DS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
3.0V
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
D
I , Drain-to-Source Current (A)
0.1
1
10
0.1 1 10
A
DS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I , Drain-to-Source Current (A)
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
J
3.0V
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
T , Junction Temperature (°C)
R , Drain-to-Source On Resistance
DS(on)
(Normalized)
V = 10V
GS
A
I = 0.91A
D
0.1
1
10
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
T = 25°C
T = 150°C
J
J
GS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I , Drain-to-Source Current (A)
A
V = 10V
20μs PULSE WIDTH
DS

IRLML2803TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.24 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.25 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.18 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.21 MByte

IRLML2803 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) =仅为0.25mΩ ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLML2803TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
IRLML2803TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 1B/B4/BB/BD/B6 低导通电阻
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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