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IRLML9301TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
描述:
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Pictures:
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焊盘图
引脚图
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IRLML9301TRPBF数据手册
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IRLML9301TRPbF
www.irf.com 5
Fig 11. Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
t
1
, Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
h
e
r
m
a
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
A
)
°
C
/
W
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + T
A
25 50 75 100 125 150
T
A
, Ambient Temperature (°C)
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
3.6
4.2
-
I
D
,
D
r
a
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
V
DS
-V
GS
Pulse Width ≤ 1 µs
Duty Factor ≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
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