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IRLML9301TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
描述:
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML9301TRPBF数据手册
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IRLML9301TRPbF
6 www.irf.com
Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 14b. Gate Charge Test Circuit
Fig 14a. Gate Charge Waveform
0 5 10 15 20 25 30 35
-I
D
, Drain Current (A)
0
100
200
300
400
500
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
m
Ω
)
Vgs = -10V
Vgs = -4.5V
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
-V
GS,
Gate -to -Source Voltage (V)
20
60
100
140
180
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
m
Ω
)
I
D
= -3.6A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1
Qgs2QgdQgodr
1K
VCC
DUT
0
L
S
20K
S
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