Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRLML9301TRPBF 数据手册 > IRLML9301TRPBF 数据手册 4/5 页
IRLML9301TRPBF
¥ 0.792
导航目录
  • 引脚图在P1
  • 封装尺寸在P5
  • 焊盘布局在P5
  • 型号编码规则在P1P5
  • 标记信息在P1
  • 封装信息在P1
  • 技术参数、封装参数在P1
  • 应用领域在P1
  • 电气规格在P2
IRLML9301TRPBF数据手册
Page:
of 5 Go
若手册格式错乱,请下载阅览PDF原文件
NTR4502P, NVTR4502P
http://onsemi.com
4
0
100
200
300
400
500
10 5 0 5 1015202530
Figure 7. Capacitance Variation
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE
VOLTAGE (V)
C, CAPACITANCE (pF)
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 VV
DS
= 0 V
C
ISS
C
RSS
C
OSS
C
ISS
C
RSS
V
GS
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
01234567
0
3
6
9
12
15
18
Q
T
Q
GD
Q
GS
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage versus Total Charge
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE
(V)
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE
(V)
I
D
= 1.95 A
T
J
= 25°C
1
10
100
1 10 100
t, TIME (ns)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
R
G
, GATE RESISTANCE (W)
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
V
DS
= 15 V
I
D
= 1.95 V
V
GS
= 10 V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.3 0.6 0.9 1.2
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)
I
S
, SOURCE CURRENT
T
J
= 25°C

IRLML9301TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
5 页 / 0.13 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.19 MByte
International Rectifier(国际整流器)
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier(国际整流器)
3 页 / 0.07 MByte

IRLML9301 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLML9301TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -3.6 A, SOT-23
Infineon(英飞凌)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件