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IRLZ34NS
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IRLZ34NS 数据手册 (11 页)
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IRLZ34NS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
3.8W (Ta), 68W (Tc)
零部件系列
PB-IRLZ34NS
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
输入电容值(Ciss)
880pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 68W (Tc)

IRLZ34NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLZ34NS 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLZ34 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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TI(德州仪器)
NXP(恩智浦)
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Vishay Intertechnology
Samsung(三星)
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