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IRLZ34 数据手册

型号系列:

IRLZ34 系列

分类:

MOS管

文档:

IRLZ34NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

更新于: 2023/01/13 02:15:58 (UTC + 8)

IRLZ34 MOS管数据手册

#1

IRLZ34NSTRLPBF

数据手册 (11 页)

3.0

Infineon（英飞凌）

#2

IRLZ34NSPBF

数据手册 (11 页)

1.8

Infineon（英飞凌）

#3

IRLZ34NSPBF

数据手册 (11 页)

1.5

International Rectifier（国际整流器）

#4

IRLZ34NSTRLPBF

数据手册 (11 页)

1.2

International Rectifier（国际整流器）

IRLZ34 数据手册 MOS管

11 页

International Rectifier（国际整流器）

11 页

International Rectifier（国际整流器）

11 页

Philips（飞利浦）

11 页

Infineon（英飞凌）

11 页

NXP（恩智浦）

N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor

11 页

Infineon（英飞凌）

11 页

Vishay Siliconix

11 页

Infineon（英飞凌）

11 页

Infineon（英飞凌）

10 页

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLZ34NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 V

9 页

International Rectifier（国际整流器）

INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ34NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 30A TO-220AB 新

9 页

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

9 页

Vishay Siliconix

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRLZ34PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 50 mohm, 5 V, 2 V

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

8 页

International Rectifier（国际整流器）

更多 IRLZ34 数据手册 >

IRLZ34 - Vishay Siliconix 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

功耗

88W (Tc)

漏源极电压(Vds)

60 V

输入电容值(Ciss)

1600pF @25V(Vds)

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