￥ 0

IRLZ34NLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLZ34NLPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRLZ34NLPBF 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRLZ34NLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

额定功率

68 W

极性

N-CH

功耗

68 W

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

30A

上升时间

100 ns

输入电容值(Ciss)

880pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.8 W

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

查看数据手册 >

IRLZ34NLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.2 mm

宽度

4.5 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRLZ34NLPBF 符合标准

IRLZ34NLPBF 概述

IRLZ34NLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.28 MByte

IRLZ34NLPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

22 页 / 0.35 MByte

IRLZ34 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRLZ34 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLZ34 数据手册

Vishay Siliconix

IRLZ34 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

Philips（飞利浦）

Infineon（英飞凌）

TI（德州仪器）

NXP（恩智浦）

N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor

IRLZ34 数据手册

Vishay Intertechnology

IRLZ34 数据手册

Samsung（三星）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号