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IRLZ44NPBF
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IRLZ44NPBF数据手册
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IRLZ44NPbF
0.01
0.1
1
10
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P x Z + T
1 2
J DM thJC C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal Response (Z )
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Pulse Width ≤ 1 µs
Duty Factor 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5.0V
+
-
V
DD
25 50 75 100 125 150 175
0
10
20
30
40
50
T , Case Temperature ( C)
I , Drain Current (A)
°
C
D

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Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
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INFINEON  IRLZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 22 mohm, 10 V, 2 V
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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