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IXFH80N085
27.751
IXFH80N085 数据手册 (3 页)
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IXFH80N085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
9 mΩ
极性
N-CH
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
85 V
漏源击穿电压
85 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
75 ns
输入电容值(Ciss)
4800pF @25V(Vds)
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IXFH80N085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH80N085 数据手册

IXYS Semiconductor
3 页 / 0.05 MByte
IXYS Semiconductor
2 页 / 0.05 MByte

IXFH80 数据手册

IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
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N沟道 250V 80A
IXYS Semiconductor
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