IXFH80N20Q

￥ 12.748

IXFH80N20Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFH80N20Q 数据手册 (2 页)

IXFH80N20Q 数据手册 (2 页)

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IXFH80N20Q 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

80.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

28.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

360 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

4600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

360 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360W (Tc)

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IXFH80N20Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH80N20Q 符合标准

IXFH80N20Q 海关信息

IXFH80N20Q 数据手册

IXFH80N20Q 数据手册

IXYS Semiconductor

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