器件3D模型

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SI4835DDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4835DDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4835DDY-T1-E3 数据手册 (10 页)

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SI4835DDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

5.6 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.03 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

-13.0 A

工作温度(Max)

150 ℃

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SI4835DDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4835DDY-T1-E3 符合标准

SI4835DDY-T1-E3 数据手册

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