器件3D模型

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SI4835BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4835BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

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SI4835BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

极性

P-Channel

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

13 ns

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

45 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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SI4835BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI4835BDY-T1-E3 符合标准

SI4835BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.08 MByte

SI4835BDY-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.06 MByte

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