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￥ 2.862
IXTY08N100D2 数据手册 - IXYS Semiconductor
制造商:
IXYS Semiconductor
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
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IXTY08N100D2数据手册
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IXTY08N100D2 IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
Fig. 1. Output Characteristics @ T
J
= 25ºC
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
02468101214
V
DS
- Volts
I
D
- Amperes
V
GS
= 5V
2V
1V
-2V
0V
-1V
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T
J
= 25ºC
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
0 1020304050607080
V
DS
- Volts
I
D
- Amperes
V
GS
= 5V
2V
1V
-2V
-1V
0V
Fig. 3. Output Characteristics @ T
J
= 125ºC
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0 5 10 15 20 25 30
V
DS
- Volts
I
D
- Amperes
V
GS
= 5V
1V
-1V
-2V
0V
-3V
Fig. 4. Drain Current @ T
J
= 25ºC
1E-08
1E-07
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
V
DS
- Volts
I
D
- Amperes
V
GS
= - 3.00V
- 3.25V
- 3.50V
- 3.75V
- 4.50V
- 4.00V
- 4.25V
Fig. 6. Dynamic Resistance vs. Gate Voltage
1.E+05
1.E+06
1.E+07
1.E+08
1.E+09
1.E+10
1.E+11
-4.6 -4.4 -4.2 -4.0 -3.8 -3.6 -3.4 -3.2 -3.0 -2.8
V
GS
- Volts
R
O
- Ohms
∆
V
DS
= 700V - 100V
T
J
= 25ºC
T
J
= 100ºC
Fig. 5. Drain Current @ T
J
= 100ºC
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
V
DS
- Volts
I
D
- Amperes
V
GS
= -3.25V
-3.50V
-3.75V
-4.00V
-4.25V
-4.50V
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