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PSMN057-200B 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PSMN057-200B 数据手册 (12 页)

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PSMN057-200B 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-263-3

功耗

250 W

上升时间

58 ns

下降时间

78 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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PSMN057-200B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

长度

10.3 mm

宽度

9.4 mm

高度

4.5 mm

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PSMN057-200B 符合标准

PSMN057-200B 数据手册

NXP（恩智浦）

12 页 / 0.15 MByte

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