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MJD243T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MJD243T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 40 MHz, 12.5 W, 4 A, 15 hFE 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MJD243T4G 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

MJD243T4G 数据手册 (9 页)

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MJD243T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

40 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

4.00 A

封装

TO-252-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

4 Position

极性

NPN

功耗

12.5 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

40 @200mA, 1V

最大电流放大倍数

180

额定功率(Max)

1.4 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1400 mW

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MJD243T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD243T4G 符合标准

MJD243T4G 海关信息

MJD243T4G 概述