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MMBT2907ALT1
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MMBT2907ALT1数据手册
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MMBT2907AL, SMMBT2907AL
www.onsemi.com
5
TYPICAL SMALL−SIGNAL Characteristics
NOISE FIGURE
V
CE
= 10 Vdc, T
A
= 25°C
Figure 13. Base Emitter Voltage vs. Collector
Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
10.10.010.001
0.2
0.3
0.5
0.6
0.7
0.9
1.1
1.2
V
BE(on)
, BASE−EMITTER VOLTAGE (V)
0.4
0.8
1.0
V
CE
= 1 V
150°C
−55°C
25°C
Figure 14. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
R
VC
for V
CE(sat)
COEFFICIENT (mV/ ° C)
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-0.1 -0.2 -0.5
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200 -500
R
VB
for V
BE
Figure 15. Safe Operating Area
V
CE
(Vdc)
1001010.10.01
0.001
0.01
0.1
1
10
IC (A)
Single Pulse Test
@ T
A
= 25°C
100 ms
1 s
10 ms
1 ms
100 s 10 s

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MMBT2907 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2907.  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
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