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MMBTA06LT1
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MMBTA06LT1数据手册
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MMBTA05LT1, MMBTA06LT1
http://onsemi.com
4
Figure 7. Collector Saturation Region
Figure 8. Base–Emitter Temperature
Coefficient
100 5000.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
0.1 100.05
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
T
J
= 25°C
R
VB
, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ C)
10
R
VB
for V
BE
°
50
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
10 mA
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)V
CE
1.0 2.0 5.0 20 50 200202.0 5.00.2 0.5

MMBTA06LT1 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
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MMBTA06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
CJ(长电科技)
MMBTA06 100~400 编带
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MMBTA06 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Diotec Semiconductor
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistor
UTC(友顺)
NPN硅晶体管
Diodes(美台)
小信号晶体管( NPN ) Small Signal Transistors (NPN)
Micro Commercial Components(美微科)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Panjit(强茂)
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