￥ 0.06

MMUN2233LT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MMUN2233LT1 数据手册 (17 页)

封装尺寸在17 页

典型应用电路图在15 页

MMUN2233LT1 数据手册 (17 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MMUN2233LT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SOT-23-3

极性

NPN

功耗

246 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

246 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

MMUN2233LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

查看数据手册 >

MMUN2233LT1 符合标准

MMUN2233LT1 概述

MMUN2233LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 0.13 MByte

MMUN2233LT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.08 MByte

MMUN2233 数据手册

MMUN2233LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMUN2233LT1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23

MMUN2233LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

MMUN2233RLT1 数据手册

Leshan Radio（乐山无线电）

MMUN2233RLT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 4.7k 47k 增益80-200 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8K ESD保护

MMUN2233LT3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

Leshan Radio（乐山无线电）

Motorola（摩托罗拉）

Leshan Radio（乐山无线电）

Leshan Radio（乐山无线电）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号