￥ 0.192

NTD3055L104-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104-1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTD3055L104-1G 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页 9 页

典型应用电路图在1 页

NTD3055L104-1G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTD3055L104-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

25.0 A

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.089 Ω

极性

N-Channel

功耗

48 W

阈值电压

1.6 V

输入电容

440 pF

栅电荷

20.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

104 ns

输入电容值(Ciss)

440pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

40.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5 W

查看数据手册 >

NTD3055L104-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

NTD3055L104-1G 符合标准

NTD3055L104-1G 海关信息

NTD3055L104-1G 概述