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NTD3055L170G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

9.0A,60V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD3055L170G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页 8 页

典型应用电路图在1 页

NTD3055L170G 数据手册 (8 页)

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NTD3055L170G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

9.00 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

170 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.5 W

输入电容

275 pF

栅电荷

10.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

输入电容值(Ciss)

275pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

1.5 W

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NTD3055L170G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD3055L170G 符合标准

NTD3055L170G 海关信息

NTD3055L170G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.13 MByte

NTD3055L170G 其他数据使用手册

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19 页 / 0.26 MByte

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