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NTD3055L170
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NTD3055L170 数据手册 (8 页)
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NTD3055L170 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
9.00 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
170 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.5 W
阈值电压
2 V
输入电容
275 pF
栅电荷
10.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
输入电容值(Ciss)
275pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.5 W
耗散功率(Max)
1.5 W

NTD3055L170 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
2500

NTD3055L170 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.11 MByte

NTD3055 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055-094T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.084 ohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104-1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V 新
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055-094-1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, DPAK-3
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 104 mohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
60V,9.0A功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
9.0A,60V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
9A,60V,N沟道MOSFET
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