￥ 1

NTD3055L170T4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

9.0安培， 60伏特，逻辑电平， N沟道DPAK 9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTD3055L170T4 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

典型应用电路图在1 页

NTD3055L170T4 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTD3055L170T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

9.00 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

170 mΩ

极性

N-Channel

功耗

28.5 W

漏源极电压(Vds)

60.0 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

69 ns

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

NTD3055L170T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

查看数据手册 >

NTD3055L170T4 符合标准

NTD3055L170T4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.12 MByte

NTD3055L170T4 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.09 MByte

NTD3055L170T4 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.11 MByte

NTD3055L170 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

60V,9A,逻辑电平N沟道功率MOSFET

NTD3055L170T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

NTD3055L170G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9.0A,60V功率MOSFET

NTD3055L170-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9A,60V,N沟道MOSFET

NTD3055L170-001 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NTD3055L170T4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9.0安培， 60伏特，逻辑电平， N沟道DPAK 9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel DPAK

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号