Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > NTD3055L170T4G Datasheet 文档
NTD3055L170T4G
0.263
NTD3055L170T4G 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NTD3055L170T4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
9.00 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.153 Ω
极性
N-Channel
功耗
28.5 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
69 ns
输入电容值(Ciss)
275pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.5 W
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.5 W

NTD3055L170T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD3055L170T4G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.03 MByte

NTD3055L170T4 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9.0安培, 60伏特,逻辑电平, N沟道DPAK 9.0 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel DPAK
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: NTD3055 数据手册

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z