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NTGD1100LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

N/P 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTGD1100LT1G 数据手册 (5 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在5 页

原理图在1 页

NTGD1100LT1G 数据手册 (5 页)

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NTGD1100LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

3.30 A

封装

TSOT-23-6

输出接口数

1 Output

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.04 Ω

极性

N-Channel

功耗

830 mW

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

8 V

漏源击穿电压

8.00 V

栅源击穿电压

1.20 V

连续漏极电流(Ids)

3.30 A

输出电流(Max)

3.3 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

830 mW

输入电压

1.8V ~ 8V

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NTGD1100LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTGD1100LT1G 符合标准

NTGD1100LT1G 海关信息

NTGD1100LT1G 概述