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￥ 0.875
NTGS3455T1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-6
描述:
-4.5A,-12V功率MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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NTGS3455T1数据手册
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NTGS3433T1
http://onsemi.com
4
1E−04 1E+00
0.1
1E+011E−011E−02
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
0.1
1
1E−03
Duty Cycle = 0.5
1E+02 1E+03
NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
0.2
Single Pulse
0.1
0.05
0.02
0.01
6
4
3
2
1
0
Q
g,
TOTAL GATE CHARGE (nC)
042610
T
J
= 25°C
I
D
= −3.3 A
QT
Q
gs
Q
gd
−V
GS,
GATE−TO−SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
5
8
Figure 7. Gate−to−Source and
Drain−to−Source Voltage vs. Total Charge
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
0
10
8
0.8
6
3
10.60.4 1.2
−V
SD,
SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
−I
S
, SOURCE CURRENT (AMPS)
2
1
0
0.2
T
J
= 150°C
Figure 9. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction−to−Ambient
0.01
20
16
12
8
100.0010.001.00
TIME (sec)
POWER (W)
4
0
0.10
Figure 10. Single Pulse Power
4
5
7
9
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
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