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NTJD4105CT2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

0.775A,20V,N/P沟道组合MOSFET

Pictures:

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焊盘图

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NTJD4105CT2G 数据手册 (8 页)

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NTJD4105CT2G 数据手册 (8 页)

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NTJD4105CT2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

630 mA

封装

SOT-363-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.29 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

270 mW

阈值电压

1.5 V

输入电容

46.0 pF

栅电荷

3.00 nC

漏源极电压(Vds)

20V, 8V

漏源击穿电压

±27 V

连续漏极电流(Ids)

775 mA, 910 mA

输入电容值(Ciss)

46pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

270 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

550 mW

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NTJD4105CT2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJD4105CT2G 符合标准

NTJD4105CT2G 海关信息

NTJD4105CT2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.14 MByte

NTJD4105CT2G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.06 MByte

NTJD4105CT2 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET的20 V / -8.0 V，互补， 0.63 A / -0.775 A， SC -88 Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−88

NTJD4105CT2G 数据手册

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0.775A,20V,N/P沟道组合MOSFET

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