Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > PD55003L Datasheet 文档
PD55003L
0
PD55003L 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

PD55003L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
5X5
极性
N-Channel
功耗
14 W
漏源击穿电压
40 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
输出功率
3 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

PD55003L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
5 mm
高度
0.88 mm

PD55003L 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.21 MByte

PD55003 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
Finisar Corporation(菲尼萨)
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  PD55003-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  PD55003L-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD
ST Microelectronics(意法半导体)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: PD55003 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z