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PD55003S
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PD55003S 数据手册 (19 页)
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PD55003S 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
500 MHz
额定电流
2.5 A
封装
PowerSO-10
极性
N-Channel
功耗
31.7 W
漏源击穿电压
40.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
输出功率
3 W
增益
17 dB
测试电流
50 mA
额定电压
40 V

PD55003S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

PD55003S 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.3 MByte

PD55003 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
Finisar Corporation(菲尼萨)
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  PD55003-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  PD55003L-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD
ST Microelectronics(意法半导体)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
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