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PD55003L-E
6.736
PD55003L-E 数据手册 (18 页)
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PD55003L-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
500 MHz
引脚数
14 Pin
额定电压(DC)
12.0 V
额定电流
2.5 A
封装
SMD-8
额定功率
14 W
针脚数
8 Position
极性
N-Channel
功耗
14 W
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
输出功率
3 W
增益
19 dB
测试电流
50 mA
输入电容值(Ciss)
34pF @12.5V(Vds)
输出功率(Max)
3 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
14000 mW
额定电压
40 V

PD55003L-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
5 mm
高度
0.88 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

PD55003L-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.25 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

PD55003 数据手册

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STMICROELECTRONICS  PD55003-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  PD55003L-E  晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD
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RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
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