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PD55003STR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

PowerSO-10

描述:

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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PD55003STR-E 数据手册 (29 页)

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PD55003STR-E 数据手册 (29 页)

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PD55003STR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

500 MHz

引脚数

3 Pin

封装

PowerSO-10

功耗

31700 mW

输出功率

3 W

增益

17 dB

测试电流

50 mA

输入电容值(Ciss)

36pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max)

165 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

31700 mW

额定电压

40 V

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PD55003STR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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PD55003STR-E 符合标准

PD55003STR-E 海关信息

PD55003STR-E 概述

PD55003STR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

29 页 / 0.45 MByte

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