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PMV45EN,215 数据手册 - NXP（恩智浦）
制造商:
NXP（恩智浦）
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
描述:
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PMV45EN,215数据手册
Page:
of 14 Go
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Product data sheet Rev. 2 — 7 November 2011 6 of 13
NXP Semiconductors
PMV45EN
N-channel TrenchMOS logic level FET
Fig 5. Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
Fig 6. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
Fig 7. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 8. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
03al03
0
1
2
3
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
V
DS
(V)
I
D
(A)
10 V 4.5 V
V
GS
= 2.2 V
2.6 V
2.4 V
2.9 V3.1 V
03ak72
0
1
2
3
0123
V
GS
(V)
I
D
(A)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 150
°
C
25
°
C
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0123
V
GS
(V)
I
D
(A)
maxtypmin
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
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