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Datasheet 搜索 > MOS管 > Nexperia(安世) > PSMN057-200B,118 Datasheet 文档
PSMN057-200B,118
¥ 11.448

PSMN057-200B,118 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
57 mΩ
功耗
250 W
输入电容
3750 pF
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
3750pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
下降时间
78 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

PSMN057-200B,118 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
10.3 mm
宽度
9.4 mm
高度
4.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN057-200B,118 数据手册

Nexperia(安世)
12 页 / 0.34 MByte

PSMN057200 数据手册

NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
PSMN057-200B,118 编带
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=39A P=250W
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Philips(飞利浦)
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