Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > RE1C002UNTCL 数据手册 > RE1C002UNTCL 数据手册 5/12 页
RE1C002UNTCL
¥ 0.123
导航目录
  • 典型应用电路图在P12
  • 标记信息在P1
  • 封装信息在P1
  • 技术参数、封装参数在P1
  • 应用领域在P11
  • 电气规格在P2P3
RE1C002UNTCL数据手册
Page:
of 12 Go
若手册格式错乱,请下载阅览PDF原文件
RE1C002UN
                           
Datasheet
llElectrical characteristic curves
Fig.5 Breakdown Voltage vs.
     Junction Temperature
Fig.6 Typical Transfer Characteristics
Fig.7 Gate Threshold Voltage vs.
     Junction Temperature
Fig.8 Forward Transfer Admittance vs.
    Drain Current
                                                                                           
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/10
20160624 - Rev.001

RE1C002UNTCL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 2.48 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 2.52 MByte

RE1C002 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
场效应管(MOSFET) RE1C002ZPMGTL SOT-416FL-3
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件