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RU1C002UNTCL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RU1C002UNTCL 数据手册 (6 页)

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RU1C002UNTCL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.15 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.2A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

25pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

150 mW

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150mW (Ta)

RU1C002UNTCL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

RU1C002UNTCL 符合标准

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