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SI2301-TP
0.016
SI2301-TP 数据手册 (5 页)
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SI2301-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
110 mΩ
极性
P-CH
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.8A
输入电容值(Ciss)
880pF @6V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
1.25W (Ta)

SI2301-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI2301-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
5 页 / 0.35 MByte

SI2301 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道2.5 V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Micro Commercial Components(美微科)
P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2301CDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV
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