器件3D模型

￥ 12.242

SI4421DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

SI4421DY-T1-E3 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4421DY-T1-E3 数据手册 (8 页)

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SI4421DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

13.5 mΩ

极性

P-CH

功耗

3 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

90 ns

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

170 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5W (Ta)

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SI4421DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

2500

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SI4421DY-T1-E3 符合标准

SI4421DY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.15 MByte

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