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器件3D模型￥ 12.247
SI4421DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）
制造商:
VISHAY（威世）
分类:
MOS管
封装:
SOIC-8
描述:
SI4421DY-T1-E3 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI4421DY-T1-E3数据手册
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www.vishay.com
4
Document Number: 72114
S-82282-Rev. C, 22-Sep-08
Vishay Siliconix
Si4421DY
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
Threshold Voltage
- 0.2
- 0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
- 5 0 - 25 0 2 5 5 0 7 5 100 125 150
I
D
= 850 µA
Variance (V)V
GS(th)
T
J
- Temperature (°C)
Single Pulse Power
0
30
50
10
20
Power (W)
Time (s)
1 60010
40
0.10.01 100
Safe Operating Area, Junction-to-Case
100
1
0.1 1 10 100
0.1
10
100 ms
0.1
* Limited by R
DS(on)
T
C
= 25 °C
Single Pulse
1 s
10 s
DC
10 ms
1 ms
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
*V
GS
> minimum V
GS
at which R
DS(on)
is specified
- Drain Current (A)
I
D
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
10
-3
10
-2
1 1 0 60010
-1
10
-4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Ef fective T ransient
Thermal Impedance
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
th J A
= 70 °C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
th J A
(t )
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
4. Surface Mounted
P
DM
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