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SN74LVC125ADR
器件3D模型
0.119
SN74LVC125ADR 数据手册 (20 页)
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SN74LVC125ADR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
电源电压
1.65V ~ 3.60V
封装
SOIC-14
输出接口数
4 Output
电路数
4 Circuit
通道数
4 Channel
针脚数
14 Position
位数
4 Bit
传送延迟时间
4.80 ns
电压波节
3.30 V, 2.70 V, 2.50 V, 1.80 V
功耗
500 mW
逻辑门数量
4 Gate
输出电流驱动
-1.00 mA
输入数
4 Input
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
500 mW
电源电压
1.65V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
1.65 V

SN74LVC125ADR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
8.65 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

SN74LVC125ADR 数据手册

TI(德州仪器)
20 页 / 1.01 MByte
TI(德州仪器)
32 页 / 0.51 MByte

SN74LVC125 数据手册

TI(德州仪器)
具有三态输出的四路总线缓冲器闸
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC125APWR  缓冲器/线路驱动器, 非反相, 3态, 4门, 1输入, 1.65V至3.6V, TSSOP-14
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC125ADR  缓冲器/线路驱动器, 非反相, 3态, 4门, 1输入, 1.65V至3.6V, SOIC-14
TI(德州仪器)
具有三态输出的增强型产品四路总线缓冲门 14-SOIC -55 to 125
TI(德州仪器)
74LVC 系列反相器和缓冲器,德州仪器德州仪器的 74LVC 系列低功率 CMOS 逻辑集 IC 的一系列反相器和缓冲器。 74LVC 系列使用硅门 CMOS 技术,设计用于在 3.3V 时工作,与 5V 系统相比,允许功耗显著降低。工作电压:1.65 至 3.6V 5V 容差的输入 兼容性:输入 LVTTL/TTL,输出 LVCMOS 按 JESD 17标准,闩锁效应性能超过 250 mA ESD 保护超过 JESD 22 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
74LVC 系列反相器和缓冲器,德州仪器德州仪器的 74LVC 系列低功率 CMOS 逻辑集 IC 的一系列反相器和缓冲器。 74LVC 系列使用硅门 CMOS 技术,设计用于在 3.3V 时工作,与 5V 系统相比,允许功耗显著降低。工作电压:1.65 至 3.6V 5V 容差的输入 兼容性:输入 LVTTL/TTL,输出 LVCMOS 按 JESD 17标准,闩锁效应性能超过 250 mA ESD 保护超过 JESD 22 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
74LVC 系列反相器和缓冲器,德州仪器德州仪器的 74LVC 系列低功率 CMOS 逻辑集 IC 的一系列反相器和缓冲器。 74LVC 系列使用硅门 CMOS 技术,设计用于在 3.3V 时工作,与 5V 系统相比,允许功耗显著降低。工作电压:1.65 至 3.6V 5V 容差的输入 兼容性:输入 LVTTL/TTL,输出 LVCMOS 按 JESD 17标准,闩锁效应性能超过 250 mA ESD 保护超过 JESD 22 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
缓冲器和线路驱动器 Quad Bus Buffer Gate
TI(德州仪器)
四路总线缓冲器闸具有三态输出 QUADRUPLE BUS BUFFER GATE WITH 3-STATE OUTPUTS
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC125AD.  芯片, 74LVC 逻辑 [ROHS Substitute: 1102975]
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