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SSM3J14T(TE85L,F) 数据手册 - Toshiba（东芝）
制造商:
Toshiba（东芝）
分类:
MOS管
封装:
TSM
Pictures:
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SSM3J14T(TE85L,F)数据手册
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SSM3J14T
2014-03-01
3
Drain-Source on resistance
R
DS (ON)
(mΩ)
Drain-Source on resistance
R
DS (ON)
(mΩ)
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
Drain current I
D
(A)
I
D
– V
GS
Drain current I
D
(mA)
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
–I
D
Drain-Source on resistance
R
DS (ON)
(mΩ)
Gate-source voltage V
GS
(V)
Gate-source voltage V
GS
(V)
Ambient temperature Ta (°C)
R
DS (ON)
– Ta
Drain current I
D
(A)
|Y
fs
| – I
D
Forward transfer admittance
|Y
fs
| (S)
R
DS (ON)
– V
GS
−6
−4
0
0 −0.5 −1 −1.5 −2
−2
Common source
Ta = 25°C
V
GS
= −2.5V
−3 V
−3.5 V −4 V
−5 V −10 V
−1
−10000
−0.01
0
−100
−1000
−1
−10
−0.1
−3 −4 −2
Common source
V
DS
= −5 V
Ta = 25°C
100°C
−25°C
0
0 −1 −2 −3 −4 −5 −6 −7
100
200
300
50
150
250
Common source
Ta = 25°C
V
GS
= −4 V
−4.5 V
−10 V
10
0 −5
Common source
I
D
= −1.35 A
−10 −15 −20
100
1000
Ta = 100°C
−25°C
25°C
0
100
200
300
50
150
250
Common source
I
D
= −1.35 A
−25
0 25 15050 75 100 125
V
GS
= −4 V
−4.5 V
−10 V
0.03
−0.01
−10−1 −0.1
Common source
V
DS
= −5 V
Ta = 25°C
0.1
0.3
1
3
10
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