Datasheet 搜索 > 电源监控芯片 > ST Microelectronics（意法半导体） > STM6778TGWB6F 数据手册 > STM6778TGWB6F 数据手册 20/30 页
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STM6778TGWB6F 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
电源监控芯片
封装:
SOT-23-6
描述:
STM6778 系列 1.11V, 3.075V 140 ms 双超低电压 监控器 - SOT-23-6
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
引脚图在P7P8Hot
典型应用电路图在P6
原理图在P9
封装尺寸在P22P23P24P25
型号编码规则在P26P27P28
标记信息在P27P28
封装信息在P25
技术参数、封装参数在P17
应用领域在P10P30
导航目录
STM6778TGWB6F数据手册
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of 30 Go
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DC and AC parameters STM6717/6718/6719/6720/STM6777/6778/6779/6780
20/30 Doc ID 11469 Rev 8
V
RST2
(4)
V
TH2
V
CC2
reset threshold
T (falling) 3.000 3.075 3.150 V
S (falling) 2.850 2.925 3.000 V
R (falling) 2.550 2.625 2.700 V
Z (falling) 2.250 2.313 2.375 V
Y (falling) 2.125 2.188 2.250 V
W (falling) 1.620 1.665 1.710 V
V (falling) 1.530 1.575 1.620 V
I (falling) 1.350 1.388 1.425 V
H (falling) 1.275 1.313 1.350 V
G (falling) 1.080 1.110 1.140 V
F (falling) 1.020 1.050 1.080 V
K (falling) 0.895 0.925 0.955 V
J (falling) 0.845 0.875 0.905 V
E (falling) 0.810 0.833 0.855 V
D (falling) 0.765 0.788 0.810 V
V
HYST
Reset threshold hysteresis Referenced to V
RST
typical 0.5 %
t
RD
V
CC
to RST delay
V
CC1
= (V
RST1
+ 100 mV) to
(V
RST
– 100 mV)
20 µs
V
CC2
= (V
RST2
+ 75 mV) to
(V
RST2
– 75 mV)
20 µs
t
rec
t
RP
RST pulse width
blank 140 210 280
msB 8.8 13.2 17.6
G 600 900 1200
Adjustable reset comparator input (STM6719/20/79/80)
V
RSTIN
RSTIN input threshold 611 626.5 642 mV
I
RSTIN
RSTIN input current –25 +25 nA
RSTIN hysteresis 3 mV
t
RSTIND
RSTIN to RST
output delay
V
RSTIN
to (V
RSTIN
– 30 mV) 22 µs
Table 6. DC and AC characteristics (continued)
Sym
Alter-
native
Description Test condition
(1)
Min Typ Max Unit
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