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STP75NF68
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STP75NF68 数据手册 (12 页)
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STP75NF68 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
190 W
漏源极电压(Vds)
68 V
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
2550pF @25V(Vds)
下降时间
75 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190W (Tc)

STP75NF68 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP75NF68 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.42 MByte

STP75 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP75NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 200 V, 34 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30 V , 0.0042 I© , 75 A, DPAK , TO- 220 , IPAK ,短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道68 V, 0.010欧姆, 80 A , TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.010 OHM, 80 A, TO-220 STripFET II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO- 220 - TO- 247低栅极电荷的STripFET ?功率MOSFET N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
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