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STP75NF75L
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STP75NF75L 数据手册 (13 页)
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STP75NF75L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
10 mΩ
极性
N-Channel
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 A
上升时间
155 ns
下降时间
60 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

STP75NF75L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

STP75NF75L 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.32 MByte

STP75NF75 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
New Jersey Semiconductor
Inchange Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
New Jersey Semiconductor
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