器件3D模型

￥ 0.174

STS4DNF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

SOIC-8

描述:

双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STS4DNF30L 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STS4DNF30L 数据手册 (12 页)

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STS4DNF30L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

4.00 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

50.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.00 W

输入电容

330 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.00 A

上升时间

100 ns

输入电容值(Ciss)

330pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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STS4DNF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STS4DNF30L 符合标准

STS4DNF30L 概述