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STW8NB100 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW8NB100 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STW8NB100 数据手册 (8 页)

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STW8NB100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

7.30 A

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.3 Ω

极性

N-Channel

功耗

190 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

漏源击穿电压

1000 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.30 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

2900pF @25V(Vds)

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STW8NB100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STW8NB100 符合标准

STW8NB100 概述

STW8NB100 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.24 MByte

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