器件3D模型

￥ 3.628

THS4505DR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SOIC-8

描述:

宽带，低失真，全差动放大器 WIDEBAND, LOW-DISTORTION, FULLY DIFFERENTIAL AMPLIFIERS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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THS4505DR 数据手册 (44 页)

封装尺寸在33 页 34 页 35 页 36 页

THS4505DR 数据手册 (44 页)

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THS4505DR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出电流

110mA @5V

供电电流

16 mA

电路数

1 Circuit

通道数

1 Channel

功耗

1.02 W

共模抑制比

74 dB

输入补偿漂移

10.0 µV/K

带宽

260 MHz

转换速率

1.80 kV/μs

增益频宽积

200 MHz

输入补偿电压

4 mV

输入偏置电流

4 µA

可用通道

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

3dB带宽

260 MHz

增益带宽

210 MHz

耗散功率(Max)

1020 mW

共模抑制比(Min)

60dB ~ 75dB

电源电压(Max)

15V ~ 18V

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THS4505DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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THS4505DR 符合标准

THS4505DR 概述

THS4505DR 数据手册

TI（德州仪器）

44 页 / 1.48 MByte

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