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BTS118D 其他数据使用手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
FET驱动器
封装:
TO-252-3
描述:
INFINEON BTS118D 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 15A, TO-252-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
原理图在P5
型号编码规则在P9
功能描述在P1
电气规格在P3P4
导航目录
BTS118D数据手册
Page:
of 10 Go
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2004-03-05
Page 1
HITFET
Ò
II.Generation BTS 118 D
Smart Lowside Power Switch
Product Summary
Drain source voltage V
DS
42 V
On-state resistance R
DS
(
on
)
100 mW
Nominal load current I
D
(
Nom
)
2.4 A
Clamping energy E
A
S
2 J
Features
· Logic Level Input
· Input Protection (ESD)
· Thermal shutdown with
auto restart
· Overload protection
· Short circuit protection
· Overvoltage protection
· Current limitation
· Analog driving possible
P-TO252-3-11
Application
· All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching
or linear applications
· µC compatible power switch for 12 V DC applications
· Replaces electromechanical relays and discrete circuits
General Description
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS
Ò
technology. Fully protected by embedded
protection functions.
Gate-Driving
Unit
ESD
Overload
Protection
Over-
temperature
Protection
Short circuit
Protection
Overvoltage-
Protection
Current
Limitation
M
Vbb
In
Source
Drain
HITFET
â
Pin 1
Pin 2 and 4 (TAB)
Pin 3
Complete product spectrum and additional information http://www.infineon.com/hitfet
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