￥ 4.14

FQPF19N10 其他数据使用手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

页面导航:

封装尺寸在P8P9

型号编码规则在P2

标记信息在P2P10

技术参数、封装参数在P10

电气规格在P2

导航目录

封装尺寸在P8 P9
型号编码规则在P2
标记信息在P2 P10
技术参数、封装参数在P10
电气规格在P2

FQPF19N10数据手册

Page:

of 11 Go

PDF下载

若手册格式错乱，请下载阅览PDF原文件

November 2013

FQP19N20C / FQPF19N20C — N-Channel QFET

MOSFET

FQP19N20C / FQPF19N20C Rev. C1

www.fairchildsemi.com

MOSFET Maximum Ratings T

= 25

C unless otherwise noted.

Thermal Characteristics

Symbol Parameter FQP19N20C FQPF19N20C Unit

DSS

Drain to Source Voltage 200 V

Drain Current

-Continuous (T

= 25

C) 19.0 19.0 * A

-Continuous (T

= 100

C) 12.1 12.1 * A

Drain Current - Pulsed (Note 1) 76.0 76.0 * A

GSS

Gate to Source Voltage ± 30 V

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) 433 mJ

Avalanche Current (Note 1) 19.0 A

Repetitive Avalanche Energy (Note 1) 13.9 mJ

dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt

(Note 3) 5.5 V/ns

Power Dissipation

= 25

C) 139 43 W

- Derate above 25

C 1.11 0.34 W/°C

, T

STG

Operating and Storage Temperature Range -55 to +150 °C

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

300 °C

Symbol Parameter

FQP19N20C FQPF19N20C

Unit

θJC

Thermal Resistance, Junction to Case, Max 0.9 2.89 °C/W

θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max 62.5 62.5 °C/W

*Drain current limited by maximum junction temperature

FQP19N20C / FQPF19N20C

N-Channel QFET

MOSFET

200 V, 19 A, 170 mΩ

Features

• 19 A, 200 V, R

DS(on)

= 170 m (Max.) @ V

= 10 V,

= 9.5 A

• Low Gate Charge (Typ. 40.5 nC)

• Low Crss (Typ. 85 pF)

• 100% Avalanche Tested

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary

planar stripe and DMOS technology. This advanced

MOSFET technology has been especially tailored to reduce

on-state resistance, and to provide superior switching

performance and high avalanche energy strength. These

devices are suitable for switched mode power supplies,

active power factor correction (PFC), and electronic lamp

ballasts.

TO-220

TO-220F

1
2
3
4
5
•••
11

￥ 4.14

下载数据手册

下载

FQPF19N10 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 2.7 MByte

FQPF19N10 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.65 MByte

FQPF19 数据手册

FQPF19N20C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQPF19N20 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF19N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.8 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 5 V

FQPF19N10 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

FQPF19N20C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQPF19N10L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET

FQPF19N20 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQPF19N10 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQPF19N20 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

FQPF19N10 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

FQPF19N20L 数据手册