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2N4403BU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-92-3

描述:

ON Semiconductor 2N4403BU , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N4403BU 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

2N4403BU 数据手册 (7 页)

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2N4403BU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

200 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-92-3

针脚数

3 Position

功耗

625 mW

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

最小电流放大倍数

100 @150mA, 2V

额定功率(Max)

625 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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2N4403BU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bag

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N4403BU 符合标准

2N4403BU 概述

2N4403BU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.11 MByte

2N4403BU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.13 MByte

2N4403BU 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

2N4403BU 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.34 MByte

2N4403BU 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

2N4403 数据手册

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通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon

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CJ（长电科技）

40V 600mA PNP 三极管 V(CBO,Max)= -40V V(CEO,Max)= -40V V(EBO,Max)= -5V VBE(Sat,Min) = -0.75V Ic(Max) = 600mA Pc(max) = 625mW hFE(Min)=100 @Vce=-1V,Ic=-10mA

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MULTICOMP 2N4403 单晶体管双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE

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