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Datasheet 搜索 > 齐纳二极管 > VISHAY(威世) > BZD27C51P-GS08 Datasheet 文档
BZD27C51P-GS08
0.405

BZD27C51P-GS08 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
DO-219AB
击穿电压
60.0 V
功耗
800 mW
测试电流
10 mA
稳压值
51 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

BZD27C51P-GS08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BZD27C51P-GS08 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.07 MByte
VISHAY(威世)
7 页 / 0.23 MByte

BZD27C51 数据手册

Philips(飞利浦)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
BZD27C51P-GS08 稳压二极管 51V 800mW/0.8W SOD123/1206-51V marking/标记 T1 低漏电流/优良的稳定性
Vishay Semiconductor(威世)
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
VISHAY(威世)
齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification
Vishay Semiconductor(威世)
稳压二极管
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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