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￥ 2.542
CSD19537Q3 数据手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
分类:
MOS管
封装:
VSON-Clip-8
描述:
CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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CSD19537Q3数据手册
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GATE Source
DRAIN
M0161-01
GATE Source
DRAIN
M0161-02
CSD19537Q3
SLPS549 –AUGUST 2015
www.ti.com
Max R
θJA
= 55°C/W Max R
θJA
= 160°C/W
when mounted on when mounted on a
1 inch
2
(6.45 cm
2
) of 2 minimum pad area of 2
oz. (0.071 mm thick) oz. (0.071 mm thick)
Cu. Cu.
5.3 Typical MOSFET Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise stated)
Figure 1. Transient Thermal Impedance
4 Submit Documentation Feedback Copyright © 2015, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: CSD19537Q3
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